近日，英特爾前CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）宣布加入xLight，擔任董事會執行董事長，xLight官網上個月也公布了這一消息。xLight是一家面向極紫外（EUV）光刻機開發基于直線電子加速器的自由電子激光（FEL）技術的EUV光源系統的初創公司。xLight雖然規模很小，但其團隊在光刻和加速器技術領域擁有多年的經驗，不僅擁有來自斯坦福直線加速器和其他地方的粒子加速器資深研究人士，其首席科學家Gennady Stupakov博士還是2024年IEEE核能和等離子體科學學會粒子加速器科學
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英特爾 EUV ASML xLight LPP FEL 光刻
2nm GAA 工藝進展被傳順利，但三星的目標是通過推出自己的 1nm 工藝來突破芯片開發的技術限制。一份新報告指出，該公司已經成立了一個團隊來啟動這一工藝。然而，由于量產目標定于 2029 年，我們可能還需要一段時間才能看到這種光刻技術的應用。1nm 晶圓的開發需要“高 NA EUV 曝光設備”，但目前尚不清楚三星是否已訂購這些機器。另一方面，臺積電也正在推出
2 納米以下芯片，據報道，這家臺灣半導體巨頭已于 4 月初開始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星，在其 2 納米 GAA
技術的試產過程中
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三星 1nm 芯片 臺積電 NA EUV
近日，荷蘭半導體設備制造商ASML宣布，計劃在日本將其先進的極紫外光（EUV）芯片工具的員工人數擴增五倍，這一舉措旨在加強其在全球半導體市場的競爭力。隨著全球對高性能芯片需求的激增，ASML的這一決策不僅能提升其在日本的業務運營，也將進一步推動當地半導體產業的發展。ASML在全球的影響力不斷增強，特別是在EUV技術方面，該技術被認為是制造下一代高性能芯片的關鍵。隨著日本在半導體制造領域的持續投入，ASML的擴張計劃將有助于促進當地人才的培養及技術的進步。此外，ASML的擴展計劃正值日本其他半導體公司如Ra
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對支持一切 AI 的先進節點芯片的需求迅速增長，這給該行業滿足需求的能力帶來了壓力。從為大型語言模型提供支持的超大規模數據中心，到智能手機、物聯網設備和自主系統中的邊緣 AI，對尖端半導體的需求正在加速。但制造這些芯片在很大程度上依賴于極紫外 （EUV） 光刻技術，這已成為擴大生產規模的最大障礙之一。自 2019 年第一批商用 EUV 芯片下線以來，設備、掩模生成和光刻膠技術的穩步改進使該技術穩定下來。但是，雖然良率正在提高，但它們仍然落后于更成熟的光刻技術。工藝穩定性需要時刻保持警惕和微調。就 EUV
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除了 ArF 空白掩膜，三星還在加大力度將其他高度依賴日本的材料本地化。
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據路透社報道，半導體大廠英特爾近日表示，半導體設備大廠阿斯麥（ASML）的首批兩臺尖端高數值孔徑（High NA）光刻機已在其工廠正式投入生產，且早期數據顯示，這些設備的性能比之前的機型更可靠。報道稱，英特爾資深首席工程師Steve Carson在加利福尼亞州圣何塞舉行的一次會議上指出，英特爾已經利用ASML高數值孔徑光刻機在一個季度內生產了3萬片晶圓，這些晶圓是足以生產數千個計算芯片的大型硅片。2024年，英特爾成為全球第一家接收這些先進設備的芯片制造商，與之前的ASML設備相比，這些機器可望制造出更小
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英特爾 ASML High-NA EUV
據路透社2月24日報道，英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場會議上表示，英特爾已經安裝的兩臺ASML High NA EUV光刻機正在其晶圓廠生產，早期數據表明它們的可靠性大約是上一代光刻機的兩倍。Steve
Carson指出，新的High NA
EUV光刻機能以更少曝光次數完成與早期設備相同的工作，從而節省時間和成本。英特爾工廠的早期結果顯示，High NA EUV
機器只需要一次曝光和“個位數”的處理步驟，即可完成早期機器需要三次曝光和約40個處
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英特爾24日表示，ASML首批的兩臺先進曝光機已投產，早期數據顯示比之前機型更可靠。英特爾資深首席工程師 Steve Carson 指出，英特爾用ASML 高數值孔徑（High NA）曝光機一季內生產 3 萬片晶圓，即生產數千顆運算芯片的大型硅片。英特爾去年成為全球第一間接收這些設備的芯片制造商，與之前ASML設備相比，這些機器可望制造出更小、更快的運算芯片。 此舉是英特爾策略轉變，因英特爾采用上代極紫外光（EUV）曝光機時落后競爭對手。英特爾花了七年才將之前機器全面投產，導致領先優勢被臺積電超越。 生產
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《科創板日報》25日訊，英特爾周一表示，去年率業界之先接收的兩臺ASML高數值孔徑極紫外光EUV已投入生產。英特爾資深總工程師卡森表示，ASML這兩臺尖端機器已生產了3萬片晶圓。
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最近，美國勞倫斯利弗莫爾國家實驗室（LLNL）宣布開發出了一種名稱為大孔徑銩（BAT）激光器，這種激光器比現在行業內的標準 CO2 激光器將 EUV 光源提高約 10 倍。這一進步，可能為新一代「超越 EUV」的光刻系統鋪平道路，從而生產出更小、更強大、制造速度更快、同時耗電量更少的芯片。簡而言之，美國開發的新一代 BAT 激光器，遠超現在的 EUV 光刻，能夠將效率提升 10 倍。EUV 光刻有多強？目前來看，沒有 EUV 光刻，業界就無法制造 7nm 制程以下的芯片。EUV 光刻機也是歷史上最復雜、最
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EUV
9 月，佳能推出了這項技術的第一個商業版本，有朝一日可能會顛覆最先進的硅芯片的制造。它被稱為納米壓印光刻 （NIL），能夠對小至 14 納米的電路特征進行圖案化，使邏輯芯片能夠與目前正在量產的 Intel、AMD 和 Nvidia 處理器相媲美。NIL 系統提供的優勢可能會挑戰價值 1.5 億美元的機器，這些機器在當今先進的芯片制造中占據主導地位，即極紫外 （EUV） 光刻掃描儀。如果佳能是正確的，其機器最終將以極低的成本提供 EUV 質量的芯片。該公司的方法與 EUV 系統完全不同，后者完全由總部位于荷
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納米壓印光刻技術 EUV? 佳能 新芯片制造系統
荷蘭芯片設備制造巨擘ASML執行長福克（Christophe Fouquet）表示，盡管中國大陸企業如中芯國際近年來在半導體領域有顯著進展，但由于無法取得最先進的極紫外光微影設備（EUV），芯片制程技術仍落后臺積電、三星等代工龍頭約10至15年。Tom's Hardware報導，福克接受荷蘭《鹿特丹商報》（NRC）采訪時指出，中芯國際和華為僅使用深紫外光曝光設備（DUV），在成本效益上無法與臺積電的制程技術相提并論。他認為，美國政府祭出的禁止EUV出口中國大陸禁令確實有效，讓中國落后西方約15 年
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近日，全球領先的物聯網整體解決方案供應商移遠通信宣布，其旗下符合3GPP
R17標準的新一代5G-A模組RG650V-NA成功通過了北美兩家重要運營商認證。憑借高速度、大容量、低延遲、高可靠等優勢，該模組可滿足CPE、家庭/企業網關、移動熱點、高清視頻直播等FWA應用對高速、穩定5G網絡的需求。移遠通信高性能5G-A模組RG650V-NA通過北美兩大重要運營商認證此前，RG650V系列已通過了北美FCC、PTCRB以及GCF全球認證，此次再獲北美兩項認證，表明該模組已全面取得北美運營商的認可，標志著搭
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移遠通信 5G-A模組 RG650V-NA
阿斯麥（ASML）近日發布2024年第三季度財報。2024年第三季度，ASML實現凈銷售額75億歐元，毛利率為50.8%，凈利潤達21億歐元。今年第三季度的新增訂單金額為26億歐元2，其中14億歐元為EUV光刻機訂單。ASML預計2024年第四季度的凈銷售額在88億至92億歐元之間，毛利率介于49%到50%，2024年全年的凈銷售額約為280歐元。ASML還預計，2025年的凈銷售額在300億至350億歐元之間，毛利率介于51%到53%。ASML 2024年第三季度財報一覽（除非特別說明，數字均以百萬歐元
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ASML EUV 光刻機
IT之家 9 月 3 日消息，日經報道稱，英特爾將與日本產業技術綜合研究所（AIST）在日本建立芯片研發基地，新設施將在三到五年內建成，配備極紫外線光刻（EUV）設備。▲ 圖源：英特爾設備制造商和材料公司將付費使用該設施進行原型設計和測試。據介紹，這將是日本第一個行業成員能夠共同使用極紫外光刻設備的中心。IT之家查詢獲悉，產業技術綜合研究所隸屬經濟產業省，是日本一家設法使用集成科學和工程知識來解決日本社會和經濟發展需要的研究機構，總部位于東京，2001 年成為獨立行政機構的一個新設計的法律機構。
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